トリケップス文献調査用資料　CD-EX027

VLSI試験／故障解析技術

第1章　VLSIの試験・故障解析の基礎
　1　概論
　2　試験の目的
　3　試験の種類
　　3.1　直流試験
　　3.2　交流試験
　　3.3　機能試験
　4　研究・開発における試験
　5　量産における試験
　6　試験装置
　7　試験コスト
　8　故障解析／診断技術
　　8.1　LSIテスタによる解析
　　8.2　光学顕微鏡・電子顕微鏡観察による解析
　　8.3　機械式プローブによるLSIの内部動作解析
　　8.4　シミュレーションによる解析
　　8.5　測定データによる解析
　　8.6　電子ビームテスタによる解析
　　8.7　ホットエレクトロン検出装置
　9　VLSI試験の問題点と今後の動向
　　9.1　論理LSIの論理検証の困難さの増大
　　9.2　試験時間の増大に伴う問題
　　9.3　高速化に伴う問題
　　9.4　高精度化に伴う問題
　　9.5　不良要因を見極める困難さの増大
　　9.6　試験コストの増大
第2章　大規模・多機能論理LSIの試験
　1　論理LSIとは
　2　LSIの評価技術
　　2.1　評価の目的
　　2.2　設計目標に対する評価方法
　　2.3　プロセス変動に対する評価方法
　3　LSIの測定技術
　　3.1　過渡電流ノイズ
　　3.2　伝送経路の反射波
　　3.3　TDR（Time　Domain　Reflection）
　4　LSIのテスト容易化技術
　　4.1　8ビットマイクロプロセッサ（MC6804P2)
　　4.2　32ビットマイクロプロセッサ（i80386）
　　4.3　32ビットTROM（TX1)
　5　デバイス試験
　　5.1　DCパラメータテスト
　　5.2　ACパラメータテスト
　　5.3　ファンクションテスト
　　5.4　電圧印加電流測定回路
　　5.5　電流印加電圧測定
第3章　大容量・高速メモリLSIの試験
　1　DRAMの試験
　　1.1　汎用DRAMの量産テストの手順
　　1.2　DRAMのテスト容易化技術
　　1.3　データ保持（リフレッシュ）特性
　　1.4　ソフトエラー
　　1.5　信頼性の保証
　　1.6　DRAM高速化へのテストの対応
　2　SRAMの試験
　　2.1　メモリセルと回路の特性
　　2.2　設計検証試験
　　2.3　製造試験
　3　PROMの試験
　　3.1　PROMの種類
　　3.2　PROMセルの書き込みと消去
　　3.3　PROMのデータセンス回路技術
　　3.4　PROMの信頼性
　　3.5　PROMのテスト
第4章　ディジタル／アナログ混在LSIの試験～混在LSIの特長とその試験方法について
　1　はじめに
　2　混在LSIの特長とテストの課題
　　2.1　混在LSIの定義
　　2.2　混在LSIの分類
　　2.3　テストの課題
　3　ディジタル信号とアナログ信号の同期／非同期
　　3.1　同期
　　3.2　非同期
　4　アナログ信号のディジタル制御
　　4.1　アナログ信号の発生とディジタイズの原理
　　4.2　サンプリング理論
　　4.3　テストトーン周波数とサンプリングレートとの関係
　　4.4　周波数の漏れの問題と窓関数
　　4.5　アナログベクタ生成
　5　時間測定
　　5.1　ジッタの定義
　　5.2　ジッタの測定
　　5.3　ジッタの発生
　6　今後の動向
第5章　テストパターン作成
　1　テストパターンの役割
　　1.1　論理シミュレーションの入出力系列
　　1.2　LSIテスタに用いられる入出力信号系列
　2　テストパターン設計
　　2.1　LSIテスタ用テストパターン作成
　　2.2　機能検査用テストパターンと故障検出用テストパターン
　　2.3　テストパターンのフォーマット変換
　　2.4　マイクロプロセッサのテストパターン作成
　3　論理シミュレーション
　　3.1　シミュレーション
　　3.2　論理シミュレータの機能
　　3.3　信号値について
　　3.4　遅延モデル
　　3.5　慣性遅延モデル
　　3.6　遅延値の割り当て
　4　故障シミュレーション
　　4.1　故障モデル
　　4.2　等価故障
　　4.3　故障の検出
　　4.4　故障シミュレーションアルゴリズム
　5　テストパターン自動生成(ATPG)
　　5.1　Dアルゴリズム
　　5.2　PODEMアルゴリズム
　　5.3　FANアルゴリズム
　　5.4　実用回路でのテストパターン自動生成
第6章　テストプログラム作成
　1　テストプログラム
　　1.1　テストプログラムとは
　　1.2　テストパターン
　　1.3　メインプログラム
　　1.4　ユーザインタフェース
　2　テストプログラム言語
　　2.1　言語の種類と特徴
　　2.2　テスト装置とプログラム言語
　3　テストプログラム作成
　　3.1　作成準備
　　3.2　作成手順
　　3.3　確認と評価
　　3.4　作成上の注意
　4　ASICのテストプログラム作成
　　4.1　ASICのテスト
　　4.2　GAのテストプログラム作成
　　4.3　SIのテストプログラム作成
　5　テストプログラムの経済性
　　5.1　故障検出率とディフェクトレベル
　　5.2　テストタイムとテストコスト
第7章　試験容易化設計
　1　試験容易化設計の概要
　2　試験容易化設計手法の種類
　3　アドホック手法
　　3.1　回路分割
　　3.2　テスト端子の挿入
　　3.3　回路の遮断
　　3.4　バスの利用
　4　構造化手法
　　4.1　スキャンパス
　　4.2　LSSD（Level　Sensitive　Design）
　　4.3　バウンダリスキャン
　5　BIST(組み込み自己試験)
　　5.1　BISTの概念
　　5.2　線形フィードバックシフトレジスタ（LFSR:Linear　Feedback　Shift　Register）
　　5.3　BILBO（Built-In　Logic　Block　Observer）
　　5.4　メモリBIST
　6　今後の動向
第8章　試験装置
第1節　論理LSI用ATE
　1　概説
　　1.1　はじめに
　　1.2　デバイスから要求されるATEの機能
　2　論理LSI用ATEの構成
　　2.1　論理LSI用ATEの構成
　　2.2　主要各部の説明
　3　デバイス動向からの測定技術
　　3.1　BiCMOS　LSIの測定
　　3.2　IDDqの測定技術
　4　今後の動向
第2節　メモリLSI用ATE
　1　概説
　2　メモリテストシステムの概要
　　2.1　基本仕様
　　2.2　開発用メモリテストシステム
　　2.3　生産用メモリテストシステム
　　2.4　複雑化するデバイスの測定技術
　　2.5　メモリテストシステムの高精度化
　　2.6　デバイスインタフェースの動向
　3　今後の動向
第3節　ディジタル／アナログ混在LSI用ATE
　1　はじめに
　2　ミクスドLSIの動向
　　2.1　要求性能
　3　システムの紹介
　　3.1　システムアーキテクチャ
　　3.2　基本性能の説明
　4　設計と試験の統合
　　4.1　試験設計環境
　5　効率的な生産ラインの構築
　6　今後の展望
第4節　設計検証システム
　1　装置概要
　　1.1　設計検証システムの背景
　　1.2　設計検証システムの変遷
　　1.3　ASICテストシステムの位置付け
　2　現状のASICテストシステム
　　2.1　最新のASICテストシステムの性能
　　2.2　ASICテストシステムと周辺評価環境
　　2.3　ATEとの違い
　3　今後の動向
　　3.1　DA（Design　Autmation)
　　3.2　ディジタル、アナログ、メモリ混在ASICへの対応
　　3.3　多ピン化への対応
　　3.4　低価格化
第9章　VLSIの信頼性
　1　概説
　2　信頼性試験と寿命推定
　　2.1　デバイスの信頼性試験
　　2.2　パッケージの試験
　　2.3　寿命試験
　3　VLSIの信頼性
　　3.1　デバイスの要素別信頼性
　　3.2　パッケージの信頼性
　　3.3　VLSIの信頼性
第10章 故障解析技術
第1節　故障解析技術の概要と今後の動向
　1　概要
　2　故障解析技術の現状
　3　故障解析技術の今後の動向
第2節　シリコンデバッグシステムとしてのEBテスタ
　1　概説
　2　EBテスタに望まれている機能、性能
　　2.1　操作性、保守性の改良
　　2.2　測定精度の改良
　　2.3　多様なCADリンク形態への対応
　　2.4　良品と不良品の比較解析手法
　　2.5　テスタリンク、DUTセットアップ
　3　最新のEBテスタ動向と応用効果
　　3.1　新EBテストシステムの狙い
　　3.2　LSIテスタリンクとDUTセットアップ
　　3.3　CADリンクソフトウェア
　　3.4　長周期テストパターン
　　3.5　高精度測定
第3節　FIB加工装置
　1　概説
　2　原理
　　2.1　装置構成
　　2.2　機能
　3　応用(VLSIの開発から故障解析まで)
　　3.1　VLSI配線の接続・切断加工とテスト用パッドの形成
　　3.2　アルミニウム配線結晶粒の観察
　　3.3　ミクロ断面加工および観察
　　3.4　断面TEM観察用の試料作成
　4　部門別の応用と効果
第4節　ホットエレクトロン解析装置
　1　概説
　2　半導体の故障とそれに伴う発光
　　2.1　半導体からの発光現象
　　2.2　絶縁体からの発光現象
　　2.3　金属導体からの発光現象
　3　光による半導体の故障解析
　4　ホットエレクトロン解析装置
　5　まとめ
付録　用語解説